삼성, 마이크론 '기술 뻥튀기'에 열 받았다…'초강수'

삼성전자가 6년 만에 관행을 깨고 구체적으로 선폭을 적시한 이유가 뭘까. 업계 관계자는 “자사 D램 기술력에 대한 자신감을 나타내고 시장의 혼란을 줄이기 위한 목적”이라고 설명했다. 또 “삼성전자가 하반기 양산하는 1a D램은 14nm”라고 전했다.

업계에선 삼성전자가 선폭 공개를 결정한 진짜 이유로 치열해지고 있는 D램 산업의 기술 경쟁을 꼽는다. 7nm 이하 파운드리 공정에 주로 활용됐던 EUV(극자외선) 장비가 D램 공정에 들어오면서 업체들의 자존심을 건 미세공정 경쟁이 진행 중이다. 대만 난야 같은 5위권 D램 업체들도 10nm대 초반의 미세공정 진입을 추진할 정도다.

삼성전자는 2016년 초 1세대 10nm(1x) D램 양산을 가장 먼저 시작하는 등 기술 경쟁에서 SK하이닉스나 마이크론 등 경쟁 업체보다 6개월~1년 정도 앞섰다. 2019년 1z D램 개발까지도 이같은 기조에는 변화가 없었다. 굳이 선폭을 구체적으로 공개하지 않더라도 ‘D램 기술력은 삼성전자가 최고’라는 얘기가 통했다.

분위기가 바뀐 건 4세대 10nm(1a) D램부터다. 3위 업체 마이크론이 지난 1월 “1a D램을 세계 최초로 개발·양산했다”고 전격 선언했다. 업계와 학계 등에선 “세계 1위 삼성전자가 마이크론에 한 방 맞았다”는 평가가 나왔다.

 

 

[단독] 삼성, 마이크론 '기술 뻥튀기'에 열 받았다…'초강수'